Differbetween
Ionimplantation og diffusion er to teknikker, der anvendes til produktion af halvledere med nogle andre materialer. Hovedforskellen mellem ionimplantation og diffusion er, at ionimplantation er isotrop og meget retningsbestemt, mens diffusion er isotrop, og der er lateral diffusion.
- Hvorfor ionimplantation foretrækkes frem for diffusion?
- Hvad menes der med ionimplantation?
- Hvad er fordelen ved at bruge ionimplantationsprocessen?
- Hvorfor annealing er påkrævet efter ionimplantation?
- Hvad er ionimplantation i halvleder?
- Hvad er annealing ved ionimplantation?
- Hvad er ionkanalisering?
- Hvad er flammehærdning og ionimplantation?
- Hvad indeholder ionkilden?
Hvorfor ionimplantation foretrækkes frem for diffusion?
Vi så, hvordan dopemidler blev introduceret i en wafer ved hjælp af diffusion ('predeposition' og 'drive-in'). Ionimplantation foretrækkes, fordi: -kontrolleret, lav eller høj dosis kan indføres (1011 - 1018 cm-2) -implantatets dybde kan kontrolleres. Brugt siden 1980 på trods af underlagsskader; lav kapacitet og omkostninger.
Hvad menes der med ionimplantation?
Ionimplantation er en overfladebehandlingsproces, hvor ioner af nitrogen eller kulstof accelereres og får det til at trænge ind i overfladen af en komponent for at give slidstyrke. ... Ved hjælp af denne tilgang kan en højenergi-ionstråle (50 til 200 kV) rettes mod komponentoverfladen.
Hvad er fordelen ved at bruge ionimplantationsprocessen?
Fordelene ved ionimplantation inkluderer evnen til at implantere praktisk talt enhver ionart i ethvert substrat med et højt niveau af kontrol af placering (lateral og dybde) og sammensætning.
...
Introduktion.
| Fordele | Begrænsninger |
|---|---|
| Meget kontrollerbar og gentagelig | Sigtelinje-proces |
Hvorfor annealing er påkrævet efter ionimplantation?
Under implantation bombarderes de implanterede dopemidler i silicium, og denne proces producerer punktfejl i gitteret. ... Annealing-tilstanden har stor indflydelse på ionimplanterede solceller, fordi de styrer aktiveringen og diffusionsprofilen af de ionimplanterede dopemidler.
Hvad er ionimplantation i halvleder?
Ionimplantation er en lavtemperaturproces, hvor ioner af et element accelereres til et fast mål og derved ændrer målets fysiske, kemiske eller elektriske egenskaber. Ionimplantation bruges til fremstilling af halvlederanordninger og til metalbearbejdning såvel som i materialeforskningsforskning.
Hvad er annealing ved ionimplantation?
Ionimplantatbeskadigelse. Ionimplantationsskade Annealing. Ionimplantation er processen med at deponere kemiske dopemidler i et substrat ved direkte at bombardere substratet med højenergiioner af det kemiske stof, der deponeres.
Hvad er ionkanalisering?
Krystalgitterets indflydelse på banerne for ioner, der trænger ind i krystallen, er kendt som kanalisering - et udtryk, der visualiserer atomrækkerne og planerne som styr, der styrer energiske ioner langs kanalerne mellem rækker og plan.
Hvad er flammehærdning og ionimplantation?
Induktionshærdning indebærer anvendelse af inducerede elektriske strømme til meget hurtigt at generere varme via hysterese, normalt i et emne fremstillet af medium til højt kulstofstål. Flammehærdning bruger oxy-fuel brændere til at opvarme emnet via ledning.
Hvad indeholder ionkilden?
En ionkilde er en enhed, der skaber atom- og molekylære ioner. Ionkilder bruges til at danne ioner til massespektrometre, optiske emissionsspektrometre, partikelacceleratorer, ionimplantater og ionmotorer.
